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具有快速光響應(yīng)的ZnO紫外探測(cè)器的研制
全部作者： 張景文 徐慶安 侯洵 第1作者單位： 西安交通大學(xué) 論文摘要： 利用射頻濺射裝置在石英襯底上生長(zhǎng)了具有C軸擇優(yōu)取向的ZnO薄膜，通過光刻、真空蒸鍍Al電極等工藝，制得了具有叉指狀電極的平面結(jié)構(gòu)光電導(dǎo)型紫外探測(cè)器。暗態(tài)及360nm光照下探測(cè)器的I-V特性均為線性，并有較大的差別，5V偏壓下暗電流僅為0.038uA, 360nm處的光電響應(yīng)度為1.8A/W。利用脈沖寬度為30ns的KrF準(zhǔn)分子激光器和200MHz帶寬的示波器搭建了響應(yīng)時(shí)間測(cè)試平臺(tái)，測(cè)試結(jié)果表明該探測(cè)器響應(yīng)時(shí)間譜上升時(shí)間僅為100ns，下降時(shí)間為1.5us。 關(guān)鍵詞： ZnO;紫外探測(cè)器，X射線衍射，透射譜，光電響應(yīng)度，光電響應(yīng)時(shí)間 (瀏覽全文) 發(fā)表日期： 2006年11月28日 同行評(píng)議：
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綜合評(píng)價(jià)： （暫時(shí)沒有） 修改稿：【具有快速光響應(yīng)的ZnO紫外探測(cè)器的研制】相關(guān)文章：
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